Trong thí nghiệm giao thoa Y- âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện từ vân trung tâm trên màn E theo đường song song với mặt phẳng hai khe thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?A. 0,3 mm. B. 0,6 mm. C. 0,8 mm. D. 0,4...
Đọc tiếp
Trong thí nghiệm giao thoa Y- âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện từ vân trung tâm trên màn E theo đường song song với mặt phẳng hai khe thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?
A. 0,3 mm.
B. 0,6 mm.
C. 0,8 mm.
D. 0,4 mm.
Ta biết Vị trí vân sáng ứng với tại đó sóng ánh sáng tăng cường lẫn nhau và vị trí vân tối ứng với tại đó sóng ánh sáng gặp nhau triệt tiêu nhau. Vậy, khoảng cách giữa hai lần liên tiếp kim điện kế lại lệch nhiều nhất ứng với một khoảng vân i:
\(\iota=\frac{\text{λ}D}{a}=\frac{500.10^{-9}.2,4}{1,5.10^{-3}}=\)\(0,8.10^{-3}m=0,8mm\)
--->chọn C